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CMOS硅外延片质量改进及与器件关系

2005年

应用技术

成果简介

一、成果内容简介；关键技术、技术经济指标：与体硅工艺相比，CMOS硅外延具有良好的抗闭锁性能及更完整的硅表面，因而它对亚微米集成电路的开发具有重要意义。该项研究为φ102毫米(4in)低阻(0.01-0.02Ωcm)硅衬底上高阻(10-50Ωcm)硅外延生长，即P/P+及N/N+CMOS外延结构。1.对外延生长条件及工艺过程控制进行了研究，并确定了各项参数满足技术指标要求的外延生长工艺。2.进行了...

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